能帶 分裂
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晶體場理論- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia在晶體場影響下，五個簡併的d軌道發生能級分裂，d電子重新分布使錯合物趨於穩定。
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因此我 ... [2]G.L. Bir and G.E. Pikus, Sov. Phys.[PDF] 一、簡介（1） 利用鍺含量來改變原來矽的材料參數，如遷移率(mobility)、能隙(band gap) … ... 壞，造成矽的六個導帶分裂成兩個group，如此效果可造成通道傳導方向的等效 ... G. L. Patton, S. S. Iyer, S. L. Delage, S. Tiwari, J. M. C. Stork, IEEE Electron.晶体中的电子能级为什么会分裂形成能带_百度知道能带本质容是能级的重叠,能级还有形状吗?具体来说： 1、内部电子应该不会分裂成能带,因为能带理论是用来解释导电性等物理特性 ...成功大學電子學位論文服務關鍵字(中), 二維電子氣能帶排列載子侷域化螢光光譜拉曼光譜價帶分裂值應變有序 ... 顯示當氮加入時，InGaPN的能隙值隨著含氮量的增加而快速減小，其額外的訊號則 ... [41] G. L. de Lange, C. de Putter, and F. L. J. A. de Wijs, “Histological and ... 1. http://www.dentalways.com.tw/%A4%FA%AC%EC%B7s%AA%BE/%A4H% ...成功大學電子學位論文服務此半金屬現象(負能隙)源自於三種貢獻：能帶之非等向性、自旋分裂、與多重能帶 耦合，其顯示與成長方向有強烈關係。
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